Personer

Joonas Isometsä

Postdoctoral Researcher

T411 Dept. Electronics and Nanoeng

Full researcher profile

https://research.aalto.fi/...

E-post

joonas.isometsa@aalto.fi

Forskningsgrupp

Hele Savin Group, Postdoctoral Researcher

Publikationer

Near-infrared germanium PIN-photodiodes with >1A/W responsivity

Hanchen Liu, Toni P. Pasanen, Tsun Hang Fung, Joonas Isometsä, Antti Haarahiltunen, Steven Hesse, Lutz Werner, Ville Vähänissi, Hele Savin 2025 Light: Science & Applications

Passivation of Germanium Surfaces by HF:H2O2 Aqueous Solution

Mariia Terletskaia, Joonas Isometsä, Mikko Miettinen, Pekka Laukkanen, Ville Vähänissi, Hele Savin 2025 PHYSICA STATUS SOLIDI: RAPID RESEARCH LETTERS

Reducing optical and electrical losses in germanium via nanostructures and surface passivation

Joonas Isometsä 2024

(poster) ALD SiO2 provides efficient Ge surface passivation with a tailorable charge polarity

Oskari Leiviskä, Hanchen Liu, John Fung, Joonas Isometsä, Ville Vähänissi, Hele Savin 2024

(poster) Efficient surface passivation of germanium by porous Ge layer

Mariia Terletskaia, Joonas Isometsä, Mikko Miettinen, Pekka Laukkanen, Ville Vähänissi, Hele Savin 2024

Efficient surface passivation of germanium nanostructures with 1% reflectance

John Fung, Joonas Isometsä, Juha Pekka Lehtiö, Toni Pasanen, Hanchen Liu, Oskari Leiviskä, Pekka Laukkanen, Hele Savin, Ville Vähänissi 2023 Nanotechnology

Surface passivation of Germanium with ALD Al2O3: Impact of Composition and Crystallinity of GeOx Interlayer

Joonas Isometsä, Zahra Jahanshah Rad, John Fung, Hanchen Liu, Juha Pekka Lehtiö, Toni Pasanen, Oskari Leiviskä, Mikko Miettinen, P. Laukkanen, K. Kokko, Hele Savin, Ville Vähänissi 2023 Crystals

Comparison of SiNx-based Surface Passivation Between Germanium and Silicon

Hanchen Liu, Toni Pasanen, John Fung, Joonas Isometsä, Oskari Leiviskä, Ville Vähänissi, Hele Savin 2023 Physica Status Solidi. A: Applications and Materials Science

(oral talk) Controlling SiO2 thin film charge and interface defect density on germanium

Hanchen Liu, Toni Pasanen, Oskari Leiviskä, Joonas Isometsä, John Fung, Marko Yli-Koski, Mikko Miettinen, Pekka J. Laukkanen, Ville Vähänissi, Hele Savin 2023

Plasma-enhanced atomic layer deposited SiO2 enables positive thin film charge and surface recombination velocity of 1.3 cm/s on germanium

Hanchen Liu, Toni Pasanen, Oskari Leiviskä, Joonas Isometsä, John Fung, Marko Yli-Koski, Mikko Miettinen, Pekka Laukkanen, Ville Vähänissi, Hele Savin 2023 Applied Physics Letters