Joonas Isometsä
Postdoctoral Researcher
Postdoctoral Researcher
T411 Dept. Electronics and Nanoeng
Full researcher profile
https://research.aalto.fi/...
Sähköposti
[email protected]
Tutkimusryhmät
- Hele Savin Group, Postdoctoral Researcher
Julkaisut
Reducing optical and electrical losses in germanium via nanostructures and surface passivation
Joonas Isometsä
2024
(poster) ALD SiO2 provides efficient Ge surface passivation with a tailorable charge polarity
Oskari Leiviskä, Hanchen Liu, John Fung, Joonas Isometsä, Ville Vähänissi, Hele Savin
2024
(poster) Efficient surface passivation of germanium by porous Ge layer
Mariia Terletskaia, Joonas Isometsä, Mikko Miettinen, Pekka Laukkanen, Ville Vähänissi, Hele Savin
2024
Efficient surface passivation of germanium nanostructures with 1% reflectance
John Fung, Joonas Isometsä, Juha Pekka Lehtiö, Toni Pasanen, Hanchen Liu, Oskari Leiviskä, Pekka Laukkanen, Hele Savin, Ville Vähänissi
2023
Nanotechnology
Surface passivation of Germanium with ALD Al2O3: Impact of Composition and Crystallinity of GeOx Interlayer
Joonas Isometsä, Zahra Jahanshah Rad, John Fung, Hanchen Liu, Juha Pekka Lehtiö, Toni Pasanen, Oskari Leiviskä, Mikko Miettinen, P. Laukkanen, K. Kokko, Hele Savin, Ville Vähänissi
2023
Crystals
Comparison of SiNx-based Surface Passivation Between Germanium and Silicon
Hanchen Liu, Toni Pasanen, John Fung, Joonas Isometsä, Oskari Leiviskä, Ville Vähänissi, Hele Savin
2023
Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science
(oral talk) Controlling SiO2 thin film charge and interface defect density on germanium
Hanchen Liu, Toni Pasanen, Oskari Leiviskä, Joonas Isometsä, John Fung, Marko Yli-Koski, Mikko Miettinen, Pekka J. Laukkanen, Ville Vähänissi, Hele Savin
2023
Plasma-enhanced atomic layer deposited SiO2 enables positive thin film charge and surface recombination velocity of 1.3 cm/s on germanium
Hanchen Liu, Toni Pasanen, Oskari Leiviskä, Joonas Isometsä, John Fung, Marko Yli-Koski, Mikko Miettinen, Pekka Laukkanen, Ville Vähänissi, Hele Savin
2023
Applied Physics Letters
(poster) Reduction of defect density at Ge/Al2O3 interface using GeO2 interfacial layers
Joonas Isometsä, John Fung, Toni Pasanen, Hanchen Liu, Oskari Leiviskä, Marko Yli-Koski, Ville Vähänissi, Hele Savin
2022
(oral talk) Controlling charge polarity and defect density at Ge/Al2O3 interface using SiNx interlayer
Hanchen Liu, Toni Pasanen, Tsun Hang Fung, Joonas Isometsä, Oskari Leiviskä, Ville Vähänissi, Hele Savin
2022