Väitös puolijohdeteknologian alalta, DI Zhen Zhu
Väitöksen nimi on “Low-Temperature Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition of Silicon Dioxide and Aluminum Oxide”
Milloin
–
Missä
Maarintie 8, 02150 Espoo
AS1
Tapahtuman kieli
englanti
Väitöskirjan nimi on “Low-Temperature Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition of Silicon Dioxide and Aluminum Oxide”
Vastaväittäjänä toimii Professori Henrik Pedersen, Linköpingin yliopistosta Ruotsista
Valvojana on professori Hele Savin, Aalto-yliopiston sähkötekniikan korkeakoulu, elektroniikan ja nanotekniikan laitos.
Väittelijän yhteystiedot: Zhen Zhu, elektroniikan ja nanotekniikan laitos, [email protected], +358505122787
Väitöskirja on julkisesti nähtävillä 10 päivää ennen väitöstä Aalto-yliopiston sähkötekniikan korkeakoulun ilmoitustaululla ala-aulassa Maarintie 8, Espoo.
- Julkaistu:
- Päivitetty: