Väitös mikro- ja nanotekniikan alalta, M.Sc. Shuo Li

Väitöskirjan nimi: Integration of Atomic Layer Deposited Al2O3 as surface passivation layer into Silicon Solar Cell

Tohtoriopiskelija: Shuo Li
Vastaväittäjä: Prof. Zeguo Tang, Shenzhen Technology University, Kiina
Kustos: Prof. Hele Savin, Aalto-yliopiston sähkötekniikan korkeakoulu, elektroniikan ja nanotekniikan laitos

Tässä työssä tutkittiin atomikerroskasvatus- eli ALD-menetelmällä kasvatetun alumiinioksidin (Al2O3) soveltamista teollisen mittakaavan piiaurinkokennovalmistuksessa. Työssä keskityttiin ratkomaan niitä ongelmia, jotka havaittiin integroitaessa ALD Al2O3-ohutkalvoa piiaurinkokennojen massatuotantoon. Esimerkkejä näistä ongelmista olivat mm. metallikontaktien kuumennuksen jälkeen havaittu Al2O3-ohutkalvon osittainen kuoriutuminen irti piikennon pinnasta, ja eri prekursoreiden, substraattien varasto-olosuhteiden, ja piin pinnan kemiallisten esikäsittelyjen vaikutukset. Lopputuloksena työssä päädytään ehdottamaan ratkaisua teollisesti massatuotetun piiaurinkokennon pinnan passivoimiseksi ALD Al2O3-ohutkalvolla sekä esitetään, kuinka tämä saadaan integroitua nykyiseen teolliseen kennonvalmistusprosessiin. Yhteenvetona työssä todetaan, että ALD on varsin lupaava menetelmä teollisen mittakaavan piiaurinkokennovalmistuksessa sovellettavaksi.

Linkki väitöskirjan sähköiseen esittelykappaleeseen (esillä 10 päivää ennen väitöstä): https://aaltodoc.aalto.fi/doc_public/eonly/riiputus/

Yhteystiedot:

Sähkötekniikan korkeakoulun väitöskirjat: https://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/53
Zoom pikaopas: https://www.aalto.fi/fi/palvelut/zoom-pikaopas